Agente tensioattivo dispersivo non ionico della serie TL-110 con basso effetto spumante e riducente della viscosità per rivestimenti idroponici
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Evidenziare
Tensioattivo disperdente non ionico
,Agente antischiuma a bassa formazione di schiuma
,Agente bagnante con effetto riduttore di viscosità
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CAS NO.68227-33-8
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Nome chimico2,5,8,11 Tetrametil 6 dodecin-5,8 diolo
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Luogo di origineCina
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MarcaFENGFAN
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Numero di modelloSerie TL-110
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Quantità di ordine minimo25 kg
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Imballaggi particolari— tamburo di plastica del ferro di 25kg bucket/-200kg
Agente tensioattivo dispersivo non ionico della serie TL-110 con basso effetto spumante e riducente della viscosità per rivestimenti idroponici
La serie TL-110 DEFOAMING AND WETTING AGENT DF-110 è disponibile per il consumo di energia elettrica.
Specificativi del prodotto
| Codice del prodotto | Numero CAS | Nome chimico |
|---|---|---|
| TL-110 | 2,5,8,11 Tetrametil 6 dodecin-5,8 diolo | |
| TL-110D | 68227-33-8 | 2,5,8,11 Tetrametil 6 dodecina-5,8 diolo in solvente |
| TL-110BC | 68227-33-8 | 2,5,8,11 Tetrametil 6 dodecina-5,8 diolo in solvente |
Descrizione del prodotto
La serie TL-110 è costituita da disperdenti non ionici specificamente formulati per sistemi di rivestimento ad acqua, inchiostri da stampa e adesivi.Questi prodotti sono progettati per pigmenti privi di resina e sono adatti a tutti i tipi di pigmenti organici.
Caratteristiche chiave
- Forte effetto riducente della viscosità per una migliore trasformazione
- Proprietà di bassa schiumatura durante l'applicazione
- Eliminare la necessità di agenti di defoaming aggiuntivi durante il processo di macinatura
- Migliora la lucentezza e la finitura della superficie
- Ottimo effetto di sviluppo del colore, in particolare per i pigmenti organici e il nero di carbonio
Applicazioni
Rivestimenti a base d'acqua (rivestimenti architettonici, rivestimenti per contenitori, rivestimenti per l'automobile, rivestimenti per il legno, rivestimenti industriali), rivestimenti a getto d'inchiostro a base d'acqua e agenti umidificanti per il taglio di wafer di silicio.
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